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深圳斯普仑科技有限公司
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产品分类
- RAM（随机存取存储器）(63)
- 双集型RAM(2)
- DRAM（MOS型动态存储器）(31)
- Flash Memory（闪存/快闪存储器）(81)
- Nand flash(10)
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产品信息
供应商
Micron Technology
产品类别
Flash
说明
SLC NAND Flash Parallel 3.3V 1G-bit 128M x 8 48-Pin TSOP-I Tray
目前，美光公司正在生产第二代10纳米级制造工艺(即1Y nm)，包括该公司的12 Gb LPDDR4X以及16 Gb DDR4存储器件。
该公司的下一代1Z nm目前已获得客户的认可(即，他们正在测试使用该工艺生产的各种芯片)，预计将在近期宣布，该技术将用于生产16 Gb LPDDR5存储器件以及DDR5存储器件。
继1Z nm节点之后，美光计划开始使用其1αnm制造技术以获得更高的产量，这意味着它正处于后期开发阶段。之后是1βnm制造工艺，该工艺也是处于早期开发阶段。
美光没有说明在1γnm工艺之后是否会直接进入EUV。该公司正在评估ASML的Twinscan NXE步进扫描功能以及使用极紫外光刻技术生产所需的其他设备，并正在评估这些工具何时可用于制造DRAM。
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