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FRAM（铁电存储器）具有像E2PROM一样的非易失性的优势 ，在没有电源的情况下可以保存数据，用于数据存储。FRAM具有两个产品系列，串行接口（I2C，SPI）和并行接口产品。采用串行I/F的FRAM可以用E2PROM或串行闪存来代替，而采用并行I/F的产品可以用低功耗SRAM或Pseudo SRAM (PSRAM)来代替。

富士通半导体集团控制着FRAM的整个生产程序；在日本的芯片开发和量产及组装程序。富士通公司保证了FRAM产品的高质量和稳定供应。自从1999年开始，FRAM产品已经连续供应12年以上，并且正在为许多客户提供所需的高可靠性。

FRAM的4Kb至4Mb产品现已投入量产。富士通正在为客户评估提供工程研发样品或生产样品。

铁电（PZT）晶体结构和FRAM原理具有非易失性、高速写入、高耐久性和低功耗的特性独立存储器 (I2C/SPI/并行接口产品)FRAM和竞争存储器产品的比较（SRAM，E2PROM，闪存）FRAM产品阵列适用于RFID的LSI适用于RFID标记的高速写入性能和大容量存储器的主要特性FRAM RFID标记的应用，FerVID系列产品发展线路图ICFRAM嵌入式IC可实现授权和未授权部件的鉴别安全IC，用于检测复印机的外设和附件，如适用于电子设备的墨盒或卡

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