深圳斯普仑科技有限公司

14年
MT41K128M16JT-125 IT:K   DDR存储器  2GB
MT41K128M16JT-125 IT:K   DDR存储器  2GB
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MT41K128M16JT-125 IT:K DDR存储器 2GB

品牌:

MICRON

封装:

BGA

数量:

12000

包装:

2000

年份:

18+

产品信息

制造商零件编号MT41K128M16JT-125 IT:K

描述IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求湿气敏感性等级 (MSL)3(168 小时)

详细描述SDRAM - DDR3L 存储器 IC 2Gb (128M x 16) 并联 pval(800) pval(2192) 96-FBGA(8x14)


规格存储器类型易失存储器格式DRAM技术SDRAM - DDR3L存储容量2Gb (128M x 16)时钟频率800MHz写周期时间 - 字,页-访问时间13.75ns存储器接口并联电压 - 电源1.283 V ~ 1.45 V工作温度-40°C ~ 95°C(TC)

安装类型表面贴装封装/外壳96-TFBGA供应商器件封装96-FBGA(8x14)


MT41K128M16JT-125 IT:K   MT41K128M16JT-125 IT:K    MT41K128M16JT-125 IT:K



制造商零件编号MT41K128M16JT-125 IT:K

描述IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求湿气敏感性等级 (MSL)3(168 小时)

详细描述SDRAM - DDR3L 存储器 IC 2Gb (128M x 16) 并联 pval(800) pval(2192) 96-FBGA(8x14)

规格存储器类型易失存储器格式DRAM技术SDRAM - DDR3L存储容量2Gb (128M x 16)时钟频率800MHz写周期时间 - 字,页-访问时间13.75ns存储器接口并联电压 - 电源1.283 V ~ 1.45 V工作温度-40°C ~ 95°C(TC)

安装类型表面贴装封装/外壳96-TFBGA供应商器件封装96-FBGA(8x14)



制造商零件编号MT41K128M16JT-125 IT:K

描述IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求湿气敏感性等级 (MSL)3(168 小时)

详细描述SDRAM - DDR3L 存储器 IC 2Gb (128M x 16) 并联 pval(800) pval(2192) 96-FBGA(8x14)

规格存储器类型易失存储器格式DRAM技术SDRAM - DDR3L存储容量2Gb (128M x 16)时钟频率800MHz写周期时间 - 字,页-访问时间13.75ns存储器接口并联电压 - 电源1.283 V ~ 1.45 V工作温度-40°C ~ 95°C(TC)

安装类型表面贴装封装/外壳96-TFBGA供应商器件封装96-FBGA(8x14)