深圳斯普仑科技有限公司

14年
MT41K512M16HA-125 IT:A  镁光8GB内存
MT41K512M16HA-125 IT:A  镁光8GB内存
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MT41K512M16HA-125 IT:A 镁光8GB内存

品牌:

MICRON

封装:

BGA

数量:

5000

包装:

2000

年份:

18+

产品信息

制造商零件编号

MT41K512M16HA-125 IT:A

描述

IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA

对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级 (MSL) 3(168 小时)

详细描述 SDRAM - DDR3L 存储器 IC 8Gb (512M x 16) 并联 pval(800) pval(2192) 96-FBGA(14x9)

规格

存储器类型 易失

存储器格式 DRAM

技术 SDRAM - DDR3L

存储容量 8Gb (512M x 16)

时钟频率 800MHz

写周期时间 - 字,页 -

访问时间 13.5ns

存储器接口 并联

电压 - 电源 1.283 V ~ 1.45 V

工作温度 -40°C ~ 95°C(TC)

安装类型 表面贴装

封装/外壳 96-TFBGA

供应商器件封装 96-FBGA(14x9)




MT41K512M16HA-125 IT:A    MT41K512M16HA-125 IT:A   


制造商零件编号

MT41K512M16HA-125 IT:A

描述

IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA

对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级 (MSL) 3(168 小时)

详细描述 SDRAM - DDR3L 存储器 IC 8Gb (512M x 16) 并联 pval(800) pval(2192) 96-FBGA(14x9)

规格

存储器类型 易失

存储器格式 DRAM

技术 SDRAM - DDR3L

存储容量 8Gb (512M x 16)

时钟频率 800MHz

写周期时间 - 字,页 -

访问时间 13.5ns

存储器接口 并联

电压 - 电源 1.283 V ~ 1.45 V

工作温度 -40°C ~ 95°C(TC)

安装类型 表面贴装

封装/外壳 96-TFBGA

供应商器件封装 96-FBGA(14x9)