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本月早些时候，我们报道了美光的16 Gb DDR4内存芯片，该芯片采用该公司的第二代10纳米级制造工艺(也称为1Y nm)生产。这些DRAM芯片已经在用于威刚和英睿达的32 GB DDR4内存条中，这些产品也将不久后上市。

早在4月份，为了应对DRAM和新工艺技术需求的增加，美光存储台湾(前雷克斯光电半导体)新洁净室破土动工。

美光储存(台湾)早已在使用美光的代10纳米级制造技术(也称为1X nm)制造DRAM产品，并将在不久的将来直接进入第3代10纳米级工艺(又名1Z nm) 。与此同时，去年美光在台中附近开辟了一个新的测试和包装设施，创造了世界上的垂直集成DRAM生产设施之一。

此外，美光公司宣布计划在日本广岛附近的公厂内投入20亿美元用于新的洁净室。据报道，新的产能将用于制造美光13纳米工艺技术的DRAM。

总的来说，美光将拥有多个10纳米级节点。除了目前使用的代和第二代10纳米级工艺技术外，美光还计划推出至少四种10纳米级制造工艺：1Z，1α，1β和1γ。

目前，美光公司正在生产第二代10纳米级制造工艺(即1Y nm)，包括该公司的12 Gb LPDDR4X以及16 Gb DDR4存储器件。

该公司的下一代1Z nm目前已获得客户的认可(即，他们正在测试使用该工艺生产的各种芯片)，预计将在近期宣布，该技术将用于生产16 Gb LPDDR5存储器件以及DDR5存储器件。

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